- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
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- 旋轉(zhuǎn)管式爐
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- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
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- 真空熱壓機
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- 環(huán)境模擬試驗設備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
激光鍍膜設備用途:
激光鍍膜設備用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料,適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料。廣泛應用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。
激光鍍膜設備技術(shù)參數(shù):
主真空室 |
球型結(jié)構(gòu),尺寸? 450mm |
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進樣室 |
圓筒型立式結(jié)構(gòu),尺寸? 150x 150mm |
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真空系統(tǒng)配置 |
主真空室 |
分子泵與機械泵,閥門 |
進樣室 |
分子泵與機械泵(與主真空室共用),閥門 |
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極限壓力 |
主真空室 |
≦6*10-6Pa(經(jīng)烘烤除氣后) |
進樣室 |
≦6*10-3Pa(經(jīng)烘烤除氣后) |
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恢復真空時間 |
主真空室 |
20分鐘可達到5*10-3Pa(系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣) |
進樣室 |
20分鐘可達到5*10-3Pa(系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣) |
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旋轉(zhuǎn)靶臺 |
靶材*大尺寸約60mm;可一次安裝4塊靶材,可實現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶;每塊靶材可自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分
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基片加熱臺 |
樣品尺寸 |
?51 |
運動方式 |
基片可連續(xù)回轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分 |
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加熱溫度 |
基片加熱zui高溫度800C±1 C,可控可調(diào) |
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氣路系統(tǒng) |
質(zhì)量流量控制器1路,充氣閥1路 |
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可選部件 |
激光器裝置 |
配相干201激光器 |
激光束掃描裝置 |
二維掃描機械平臺,執(zhí)行兩自由度掃描 |
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計算機控制系統(tǒng) |
控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶,靶自轉(zhuǎn),樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫、激光束掃描等 |
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設備占地面積 |
主機 |
1800 * 1800mm2 |
電控柜 |
700 *700mm2(1個)
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