- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束,激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
本產品為桌面型小型蒸發(fā)鍍膜儀,可提供*大100A的鍍膜電流,*大蒸發(fā)溫度可達1800℃,能夠滿足各種常見金屬及部分非金屬的蒸鍍。真空腔體采用高純石英制作,具有便于觀察鍍膜過程,易于清洗的優(yōu)點;配合分子泵組可達到5x10-4Pa極限真空,能夠有效保證蒸鍍薄膜的純凈度和結合力。
桌面型小型蒸發(fā)鍍膜儀技術參數(shù):
產品名稱 |
桌面型石英腔體蒸發(fā)鍍膜儀 |
產品型號 |
CY-EVZ180-I-H-Q |
安裝條件 |
1、使用環(huán)境溫度 25℃±15℃,濕度 55%Rh±10%Rh; 2、設備供電:AC220V,50Hz,必須有良好接地; 3、額定功率:1200w; 4、設備用氣:設備腔室內需充注氬氣清洗,需客戶自備氬氣,純 度 ≥99.99%; 5、擺放工作臺尺寸要求 600mm×600mm×700mm,承重 50kg 以上; 6、擺放位置要求通風。 |
技術參數(shù) |
1、 蒸發(fā)源電壓:10V 2、 蒸發(fā)電流 0~100A 連續(xù)可調 3、 配 1 個鎢舟、1 個鎢絲籃; 4、 不銹鋼旋轉上置樣品臺,直徑為60mm; 5、 樣品與蒸發(fā)源的距離為 60~100mm 連續(xù)可調; 6、 真空腔體為石英腔體其直徑為180mm,高度為200mm; 7、 真空腔體抽氣接口為 KF25; 8、 進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭,默認配不銹鋼微調閥以調節(jié)進氣量; 9、 顯示屏為7英寸彩色觸摸屏; 10、 可調節(jié)蒸發(fā)電流,可設置蒸發(fā)**電流值、**真空值; 11、 **保護:過流、真空過低自動切斷蒸發(fā)電流; 12、 極限真空:5E-4Pa(搭配分子泵); 13、 真空測量為電阻規(guī)真空計,其量程為:1~105Pa |
注意事項 |
1、對于蒸鍍對氧較敏感的材料,建議使用分子泵組。 2、為了達到較高的無氧環(huán)境,至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。 |
可選配件 |
|
膜厚監(jiān)測儀 |
1、膜厚分辨率:0.0136?(鋁) 2、膜厚準確度:±0.5%,取決于過程條件,特別是傳感器的位置, 材料應力,溫度和密度 3、測量速度:100ms-1s/次,可設置測量范圍:500000?(鋁) 4、標準傳感器晶體:6MHz 5、適用晶片頻率:6MHz 適用晶片尺寸:Φ14mm 安裝法蘭:CF35 |
其他配件 |
1、鎢舟、鎢絲籃; 2、有機蒸發(fā)源(含石英舟和鎢絲發(fā)熱源) 3、CY-CZK103系列高性能分子泵組(含復合真空計,測量范圍10-5Pa~105Pa); CY-GZK60系列小型分子泵組(含復合真空計,測量范圍10-5Pa~102Pa) VRD-4雙極旋片真空泵; 4、KF25真空波紋管;長度可選0.5m、1m、1.5m;KF25卡箍支架 5、膜厚儀晶振片; |
免責聲明
本站產品介紹內容(包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等),僅供參考??赡苡捎诟虏患皶r,會造成所述內容與實際情況存在一定的差異,請與本公司銷售人員聯(lián)系確認。本站提供的信息不構成任何要約或承諾,本公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請您見諒。